칩 하나에 영화 70편…삼성, 꿈의 테라시대 열다

박건형 기자

조재희 기자

입력 : 2017.08.09 18:44 | 수정 : 2017.08.09 20:59

삼성전자가 세계 최초로 1테라비트(Tb) 반도체 시대를 열었다. 삼성전자가 개발한 1테라비트 3차원 낸드플래시는 현재 상용화된 256기가비트(Gb) 낸드플래시와 크기가 비슷하지만 4배의 데이터를 저장할 수 있다. 글로벌 메모리 반도체 1위 업체인 삼성전자는 이번 1테라비트 낸드플래시 개발을 통해 경쟁사들을 압도하는 기술력을 다시 한 번 전 세계에 과시했다. 삼성전자는 1993년 낸드플래시 첫 제품인 16메가비트(Mb) 반도체를 내놓은 지 24년 만에 저장용량을 무려 6만5536배나 늘린 것이다. 진교영 삼성전자 메모리 사업부장(부사장)은 "지속적인 기술 개발을 통해 인공지능(AI), 빅데이터 등 급증하는 메모리 반도체 수요에 선제적으로 대응할 것"이라고 말했다.

◇세계 최대 용량 낸드플래시 공개
삼성전자는 8일(현지 시각) 미국 캘리포니아 샌타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2017'에서 세계 최대 용량인 1테라비트 3차원 낸드플래시를 공개했다. 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 낸드플래시는 스마트폰, 노트북의 저장장치로 널리 쓰이고 있다. 1테라비트 낸드플래시는 성인 남자의 엄지 손톱보다 작은 칩에 고화질 영화 60~70편을 한꺼번에 저장할 수 있다. 비결은 저장 공간을 아파트처럼 수직으로 쌓아 올리는 3차원 적층(積層) 기술이다. 삼성전자는 V(Vertical·수직)낸드라는 자체 제조 기술을 이용해 반도체 저장 공간을 64층으로 쌓아 1테라비트 3차원 낸드플래시를 만들어냈다. 여기에 각각의 데이터 저장 공간인 '셀(cell)' 안에 기존보다 더 많은 데이터를 집어넣을 수 있는 신기술도 적용했다.
삼성전자 관계자는 "지난해 개발한 512기가비트 3차원 낸드플래시를 올 하반기 상용화한 뒤, 내년부터는 1테라비트 3차원 낸드플래시를 양산할 계획"이라며 "서버나 컴퓨터, 스마트폰 등에 적용하면 차지하는 공간은 더 줄어들면서 성능은 획기적으로 개선될 것"이라고 말했다.

◇압도적인 기술력 재확인

반도체 업계에서는 삼성전자의 1테라비트 3차원 낸드플래시 개발이 SK하이닉스, 일본 도시바, 미국 웨스턴디지털 등 경쟁사들에 비해 삼성전자의 기술력이 월등히 앞서 있다는 사실을 다시 한 번 확인시켜준 것으로 평가하고 있다. 삼성이 내세우는 초(超)격차 전략이 유지되고 있다는 것이다. 삼성전자는 3차원 낸드플래시를 2013년 세계 최초로 양산했고, 2015년부터는 매년 데이터 저장 용량을 두 배씩 늘린 신제품을 공개하고 있다. 반면 도시바와 웨스턴디지털은 올 초 512기가비트 3차원 낸드플래시를 공동 개발했지만 아직까지 시험 생산 수준에 머무르고 있다.
반도체 업계의 한 관계자는 "두 회사가 삼성전자를 따라잡기 위해 애를 쓰고 있지만, 아직까지 1년 이상 기술 격차가 있다"면서 "특히 삼성전자는 같은 웨이퍼에서 경쟁사보다 더 많은 반도체 제품을 안정적으로 뽑아낼 수 있기 때문에 수익성 면에서도 비교가 안 된다"고 말했다. D램 시장 2위 기업인 SK하이닉스는 최근 낸드플래시 투자를 대폭 확대하고 있지만, 아직 512기가비트 낸드플래시를 개발하는 단계에 머물러 있다.
이세철 NH투자증권 연구원은 "전 세계 낸드플래시 시장이 빠르게 2차원에서 3차원 낸드플래시로 전환되고 있지만, 아직까지 이 분야에서 안정적으로 수익을 내는 회사는 시장을 개척한 삼성전자뿐"이라며 "연구개발과 공장 증설에 투자하는 비용도 삼성전자가 압도적이어서 격차는 쉽게 줄어들지 않을 전망"이라고 말했다.

/조선DB

출처 : http://news.chosun.com/site/data/html_dir/2017/08/09/2017080902640.html

또 한발 앞서가는 삼성 반도체…적층 수 두배 늘린 '1테라바이트 낸드' 세계 최초 공개

[중앙일보] 입력 2017.08.09 11:07

                                        

삼성전자가 세계 최대 용량의 V낸드 플래시 메모리와 차세대 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품군을 공개했다.  
 
삼성전자는 8일(현지시간) 미국 산타클라라에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2017’에서 3차원 셀(cell)의 용량을 기존 512기가비트(Gb)보다 2배 늘린 1테라비트(Tb) 낸드를 공개했다.  
 
낸드플래시 반도체는 데이터를 저장하는 셀을 3차원 공간에 수직으로 쌓아서 하나의 칩을 만든다. 삼성전자는 현재 64단까지 셀을 쌓아서 하나의 칩을 만드는 기술을 보유하고 있다. 이렇게 만들어진 칩을 8단으로 쌓아 패키지를 만들면 1테라바이트(TB) 용량을 구현할 수 있다. 기존 최대 용량(512Gb)보다 용량이 2배나 늘어난 제품이다.  
 
이 제품을 적용하면 저장장치인 솔리드스테이트드라이브(SSD)의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다. 삼성전자 측은 "1Tb V낸드가 적용된 최대 용량 SSD를 내년 본격 출시할 계획"이라고 밝혔다.  
 

삼성전자가 8일(현지시간) 미국에서 공개한 새로운 규격의 솔리드스테이트드라이브(SSD)인 ‘NGSFF SSD’. 옆의 주화는 크기 비교 용. [사진 삼성전자]

삼성전자는 이날 적층 기술 외에 서버 시스템 내 저장장치의 공간 활용도를 극대화할 수 있는 기술(NGSFF SSD)도 선보였다. 신규 SSD 규격인 NGSFF SSD를 활용하면 같은 공간에서 저장 용량을 4배까지 늘릴 수 있다. 삼성전자는 NGSFF SSD를 4분기부터 양산해 데이터센터 등 다양한 서버 고객을 유치한다는 계획이다.
 
삼성전자는 이날 성능을 극대화한 하이엔드 SSD 제품 'Z-SSD'도 공개했다. 기존 제품 대비 응답 속도가 7배 빠르고, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 속도를 구현할 수 있는 제품이다.
 
진교영 삼성전자 메모리사업부장은 “지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응하겠다”고 밝혔다.
 
미국에서 매년 열리는 플래시 메모리 서밋은 세계 최대 플래시 메모리 업계 행사다. 올해는 8일부터 10일까지 사흘 동안 진행된다.
 
박태희 기자 adonis55@joongang.co.kr

"칩 하나에 영화 70편"…삼성전자, 세계최대 용량 V낸드 공개

• 입력 : 2017.08.09 07:45:17   수정 : 2017.08.09 08:04:41
• 美 '플래시 메모리 서밋 2017'…차세대 첨단 SSD도 선보여
  
  삼성전자가 세계최대 용량의 V낸드 플래시 메모리와 차세대 SSD(솔리드스테이트드라이브) 제품군을 공개했다.
  삼성전자는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주(州) 샌타클래라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2017'에서 1테라비트(Tb) V낸드 제품을 처음으로 선보였다고 밝혔다.
  
  V낸드는 평면(2차원) 위에 많은 회로를 넣는 대신 3차원 수직 구조로 회로를 쌓아올려 집적도를 높인 플래시 메모리 기술로, 주로 휴대전화나 디지털카메라 등의 데이터 저장장치로 쓰인다.
  
  이 제품은 데이터를 저장하는 3차원 셀(cell) 용량을 기존 512Gb보다 2배로 늘린 것으로, 특히 16단으로 쌓아 올려 2테라바이트(TB)의 단품 패키지로 만들 수 있기 때문에 저장용량을 획기적으로 늘릴 수 있다.
  1Tb는 128GB로, 2시간짜리 HD급 화질 영화의 용량이 보통 1.5~2GB 정도라는 점을 감안하면 약 60~70편을 하나에 담을 수 있는 셈이다.
• 삼성전자는 이번에 공개한 1Tb V낸드 메모리가 적용된 최대 용량의 SSD 제품을 내년에 본격 출시한다는 계획이다.
  
  이와 함께 삼성전자는 이번 행사에서 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화할 수 있는 새로운 SSD 규격인 'NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD'도 공개하고 오는 4분기에 양산에 돌입한다고 발표했다.
  
  
  
  
  기존 시스템을 이 규격으로 대체할 경우 같은 공간에서 저장용량을 4배까지 높일 수 있어 데이터센터와 서버 고객들이 효율적인 시스템을 구축할 수 있다고 회사 측은 설명했다.
  
  또 기존 제품에 비해 읽기와 응답 속도가 7~12배 빨라 실시간 빅데이터 분석이나 고성능 서버용 캐시 등에 이용할 수 있는 'Z-SSD'와 함께 별도의 데이터 전환 과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있는 '키 밸류(Key Value) SSD' 등도 함께 선보였다.
  
  SSD는 하드디스크드라이브(HDD)를 대체하는 저장장치로, 낸드 플래시 또는 D램 등 초고속 반도체 메모리를 저장 매체로 사용해 속도가 빠르고 기계적 지연이나 발열, 소음이 적다.
  
  진교영 메모리사업부장은 "지난 2013년 세계 최초 V낸드(1세대, 24단) 양산을 시작으로, 올해 4세대 V낸드를 양산하는 등 낸드플래시 혁신을 주도하고 있다"면서 "향후 인공지능(AI), 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응할 것"이라고 말했다.
  
  [연합뉴스]
  
  [출처: 중앙일보] 또 한발 앞서가는 삼성 반도체…적층 수 두배 늘린 '1테라바이트 낸드' 세계 최초 공개

손톱만한 칩에 초고화질 영화 64편 저장

• 송성훈,김동은 기자
• 입력 : 2017.08.09 17:38:12   수정 : 2017.08.09 17:57:22
• ■ 삼성전자 세계 첫 1Tb칩 개발
  
  
  
  
  삼성전자가 인공지능(AI), 빅데이터와 관련해 폭증하는 글로벌 기업들의 수요를 정조준하고 있다. 4차 산업혁명에 대비하기 위해선 선제적인 서버 확충이 필요한데, 반도체가 필수적이기 때문이다
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삼성전자, 세계 최대 1Tb 3D V낸드플래시 첫 공개… 내년 출시

발행일 : 2017.08.09

삼성전자가 8일 미국에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2017'을 통해 차세대 V낸드 솔루션을 무더기로 공개한 것도 이런 배경 때문이다. 이미 압도적인 기술력을 바탕으로 초격차 상태를 확대하고 있는 V낸드 시장에서 경쟁자들의 추격 의지를 아예 꺾어놓겠다는 전략이다.

이날 삼성전자가 첫선을 보인 '1테라비트(Tb) V낸드' 칩이 대표적이다. 이미 삼성전자는 세계에서 유일하게 64단까지 쌓은 V낸드 칩을 양산하고 있다. 이 같은 독보적인 기술을 바탕으로 용량 자체도 1Tb라는 세계 최대 수준으로 끌어올렸다. 삼성전자가 개발한 기존의 512기가비트(Gb) V낸드 칩과 비교하면 용량을 2배가량 늘렸다. 1Tb는 2기가바이트(GB)짜리 고화질 영화를 손톱만 한 칩 하나에 64편가량 저장할 수 있는 용량이다. 1Tb는 128GB다.

그나마 삼성전자를 가장 가깝게 따라온 곳이 도시바지만 기술 격차는 크다. 48단 기술로 256Gb 칩을 만드는 수준에 머물러 있다. V낸드 적층기술은 삼성전자보다 한 단계 낮은 48단이고, 저장 용량은 4분의 1밖에 안 된다.

1테라바이트(TB) 제품을 만들려면 256Gb짜리 도시바 칩으로는 32개가 필요한 반면, 삼성전자 칩은 8개만 있으면 가능해진다. 그만큼 동일한 공간에서 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다는 얘기다.

삼성전자는 당장 내년부터 64단 기술 기반의 1Tb칩을 장착한 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품을 본격 출시하겠다고 선언했다.

진교영 삼성전자 메모리사업부장은 "지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해 고객 가치를 극대화하고 향후 AI와 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 지난 1분기 기준 전 세계 SSD 시장의 34.8%를 차지하고 있는 1위 기업이다. 게다가 빅데이터, 클라우드 서비스 등으로 인해 SSD에 대한 수요는 날로 증가하는 추세다. 시장조사전문업체 IHS에 따르면 지난해 181억8000만달러 수준이던 SSD 시장 규모는 2021년에는 241억달러로 커질 전망이다.

실제로 삼성전자는 다양한 차세대 SSD 기술규격과 제품을 선보이며 시장 장악 의지를 드러냈다. 먼저 서버의 공간 활용도를 극대화하는 데 초점을 맞춘 새로운 SSD 규격 'NGSFF SSD'가 눈길을 끌었다. 이 규격을 사용하면 같은 서버 시스템 기준 저장 용량을 4배까지 향상시킬 수 있다.

SSD 규격이란 SSD 내부에서 데이터가 오가는 통로의 크기, 방법, 속도 등을 결정하는 표준이다. 삼성전자 관계자는 "NGSFF SSD는 새로운 표준이지만 저장 용량을 늘리는 효과가 워낙 뛰어나기 때문에 곧 주요 표준 중 하나로 자리 잡게 될 것으로 예상한다"고 말했다.

삼성전자는 NGSFF SSD를 적용한 제품을 올해 4분기부터 양산할 예정이다.

삼성전자는 SSD 응답 속도를 최대한 끌어올린 'Z-SSD'도 선보였다.

이 제품은 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 초프리미엄급 SSD 제품이다. 기존 제품과 비교해 읽기 응답 속도가 7배 빠르다. 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답 속도를 뽐낸다.

비정형 데이터를 저장하는 데 특화된 신개념 '키 밸류(Key Value) SSD'도 함께 발표했다.

[송성훈 기자 / 김동은 기자]

<삼성전자가 8일부터 미국 산타클라라에서 열린 플래시메모리서밋 2017에서 서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 새로운 규격의 NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD 등 다양한 신제품, 신기술을 공개했다.>

삼성전자가 1테라비트(Tb) 3D V낸드플래시 등 혁신 메모리 기술을 선보였다. 1Tb는 세계 최대 용량을 구현한 것이다. 

삼성전자는 8일 미국 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 '플래시메모리서밋 2017'에서 △세계 최대 용량1Tb V낸드플래시 칩 △서버 시스템 집적도를 높일 수 있는 NGSFF(Next Generation Small Form Factor) 솔리드스테이트드라이브(SSD103) △기존 SSD 대비 성능을 획기적으로 높인 Z-SSD △신개념 데이터 저장방식을 적용한 키 밸류 SSD 등을 공개했다. 1Tb V낸드플래시 16개를 적층하면 하나의 단품 메모리 패키지로 2테라바이트(TB)를 만들 수 있어 SSD 용량을 획기적으로 높일 수 있다. 삼성전자는 이 제품이 적용된 최대 용량 SSD 제품을 내년 본격 출시할 예정이다. 

NGSFF SSD는 서버 시스템 내 저장장치 공간 활용도를 극대화할 수 있는 새로운 규격이다. 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 NGSFF SSD로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상시킬 수 있다. 이날 서밋에서 삼성전자는 16TB NGSFF SSD 36을 탑재한 576TB 시스템을 공개했다. NGSFF SSD는 올해 4분기부터 양산을 시작한다. 내년 1분기 표준화 단체인 JEDEC에서 표준화가 완료될 계획이다. 

Z-SSD는 기존 NVMe370(Non-Volatile Memory express) 읽기 응답 속도가 7배 빠른 15㎲다. 읽기 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다. 삼성전자는 작년 플래시메모리서밋에서 Z-SSD를 처음 선보였다. 현재 다양한 고객사와 협력 방안을 논의 중이다. 

키 밸류 SSD는 비정형 데이터(숫자가 아닌 텍스트, 동영상 등) 저장에 특화된 신개념 제품이다. 기존 SSD는 데이터 저장시 특정 크기로 변환하는 과정을 거쳐야 했다. 키 밸류 SSD 기술을 적용하면 별도 전환 과정 없이 다양한 데이터를 그대로 저장할 수 있어 입출력 속도를 높이고 SSD 수명도 늘리는 것이 가능하다. 

진교영 삼성전자 메모리사업부장(부사장)은 “V낸드 관련 솔루션을 지속적으로 개발해 향후 인공지능(AI), 빅데이터78 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것”이라고 말했다. 

한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com